LMBTA92LT1G / LRC
LRC
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 225 мВт, Напряжение КЭ максимальное 300 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 500 мВ, Ток коллектора 50 мА, Граничная рабочая частота 50 МГц, Коэффициент усиления по току, min 25 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, PNP
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 6845585 шт | — |
0,99
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность225 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное300 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии500 мВ
-
Ток коллектора50 мА
-
Граничная рабочая частота50 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min25
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, PNP
