LMUN5111DW1T1G / LRC
LRC
Добавить к сравнению
Корпус —, Рассеиваемая мощность 385 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 35 , Встроенное сопротивление в базовой цепи 10 кОм, Встроенное сопротивление в цепи БЭ 10 кОм, Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, PNP, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 324000 шт | — |
1,69
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Рассеиваемая мощность385 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное50 В
-
Ток коллектора100 мА
-
Коэффициент усиления по току, min35
-
Встроенное сопротивление в базовой цепи10 кОм
-
Встроенное сопротивление в цепи БЭ10 кОм
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, PNP, Silicon