LMUN5112T1G / LRC
LRC
Добавить к сравнению
Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 310 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 60 , Встроенное сопротивление в базовой цепи 22 кОм, Встроенное сопротивление в цепи БЭ 22 кОм, Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 3000 шт | — |
0,85
от 3000 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность310 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное50 В
-
Ток коллектора100 мА
-
Коэффициент усиления по току, min60
-
Встроенное сопротивление в базовой цепи22 кОм
-
Встроенное сопротивление в цепи БЭ22 кОм
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon