LMUN5214T1G / LRC
LRC
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 310 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 80 , Встроенное сопротивление в базовой цепи 10 кОм, Встроенное сопротивление в цепи БЭ 47 кОм, Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 1674540 шт | — |
1,44
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность310 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное50 В
-
Ток коллектора100 мА
-
Коэффициент усиления по току, min80
-
Встроенное сопротивление в базовой цепи10 кОм
-
Встроенное сопротивление в цепи БЭ47 кОм
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon