Корпус —, Рассеиваемая мощность 385 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 80 , Встроенное сопротивление в базовой цепи 4.7 кОм, Встроенное сопротивление в цепи БЭ 47 кОм, Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, NPN, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 1051510 шт | — |
4,48
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|