Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 65 В, Ток стока номинальный при 25°C 4 А, Рассеиваемая мощность 61 Вт, Примечание RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET