MRF175GV / MACOM
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 65 В, Ток стока номинальный при 25°C 26 А, Рассеиваемая мощность 400 Вт, Примечание RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Характеристики
-
Корпус—
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток65 В
-
Ток стока номинальный при 25°C26 А
-
Рассеиваемая мощность400 Вт
-
ПримечаниеRF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET