Корпус TDFN10 , Максимальный выходной ток нарастания 2 А, Максимальный выходной ток спада 4 А, Опции Half Bridge Based MOSFET Driver, BICMOS, PDSO10 , Рабочая температура -40 °C, Рабочая температура 125 °C, Примечание Dual, 16ns, 4A Sink/2A Source Gate Drive
Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.