BC847B-TP / Micro Commercial Components
Не поставляется
Добавить к сравнению
Транзистор NPN; SOT-23; 225 мВт; Uкэ 45 В; 100 мА; h21э 200; 100 МГц; -55…150 °C
Характеристики:
- Корпус: SOT-23;
- Конфигурация: NPN;
- Рассеиваемая мощность: 225 мВт;
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 45 В;
- Ток коллектора: 100 мА;
- Коэффициент усиления по току h21э: 200;
- Частота: 100 МГц;
- Рабочая температура: -55…150 °C
Корпус TO236 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 225 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная рабочая частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 200 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Характеристики
-
КорпусTO236
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность225 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное45 В
-
Ток коллектора100 мА
-
Граничная рабочая частота100 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min200
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon