BC856S-TP / Micro Commercial Components
Не поставляется
Добавить к сравнению
Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 200 мВт, Напряжение КЭ максимальное 65 В, Граничная рабочая частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 110 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 65V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
Характеристики
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность200 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное65 В
-
Граничная рабочая частота100 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min110
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 65V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon