BC857S-TP / Micro Commercial Components
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 300 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Граничная рабочая частота 200 МГц, Коэффициент усиления по току, min 125 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность300 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное45 В
-
Граничная рабочая частота200 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min125
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon