MMBT5551-TP / Micro Commercial Components
Не поставляется
Добавить к сравнению
Биполярный транзистор - [SOT-23-3]; Тип: NPN; 160 В; 600 мА; 300 мВ; в корпусе SOT-23-3
Характеристики:
- Корпус: SOT-23-3;
- Тип: NPN;
- Напряжение коллектор-эмиттер: 160 В;
- Напряжение коллектор-база: 180 В;
- Напряжение эмиттер-база: 6 В;
- Ток коллектора: 600 мА;
- Мощность рассеивания: 300 мВт;
- Рабочая температура: -55...+150 °C;
- Граничная рабочая частота: 100 МГц;
- h21: 100...300
Корпус TO236 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 300 мВт, Напряжение КЭ максимальное 160 В, Ток коллектора 600 мА, Граничная рабочая частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 50 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO236
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность300 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное160 В
-
Ток коллектора600 мА
-
Граничная рабочая частота100 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min50
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon