APTGL700SK120D3G / Microchip
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Напряжение К-Э максимальное 1200 , Ток коллектора максимальный при 25°C 840 А, Напряжение насыщения К-Э 2.2 В, Максимальная мощность 3 кВт, Тип входа стандартный , Примечание Insulated Gate Bipolar Transistor, 840A I(C), 1200V V(BR)CES
Характеристики
-
Корпус—
-
Напряжение К-Э максимальное1200
-
Ток коллектора максимальный при 25°C840 А
-
Напряжение насыщения К-Э2.2 В
-
Максимальная мощность3 кВт
-
Тип входастандартный
-
ПримечаниеInsulated Gate Bipolar Transistor, 840A I(C), 1200V V(BR)CES