Энергонезависимая память; EEPROM; I2C; 512 кбит; 2.5…5.5 В; 1 МГц; 550 нс; SOIC-8
Характеристики:
Корпус SO8150 , Тип памяти EEPROM , Подтип памяти EEPROM , Интерфейс I2C , Объём памяти 512 кбит, Организация памяти 64K x 8 , Напряжение питания, min 2.5 В, Напряжение питания, max 5.5 В, Рабочая температура -40 °C, Рабочая температура 85 °C, Время доступа 1 мкс
Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.