DN2530N3-G / Microchip
Не поставляется
Добавить к сравнению
3 TO-92MOSFET, DEPLETION-MODE, 300V, 12 OHM
Корпус TO92 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 300 В, Ток стока номинальный при 25°C 175 мА, Сопротивление открытого канала (мин) 12 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 12 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 12 Ом, Максимальное напряжение затвора 20 В, Рассеиваемая мощность 740 мВт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 0.175A I(D), 300V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 , Ёмкость затвора 300 пФ, Особенности Depletion Mode
Характеристики
-
КорпусTO92
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток300 В
-
Ток стока номинальный при 25°C175 мА
-
Сопротивление открытого канала (мин)12 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min12 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max12 Ом
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Рассеиваемая мощность740 мВт
-
ПримечаниеSmall Signal Field-Effect Transistor, 0.175A I(D), 300V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92
-
Ёмкость затвора300 пФ
-
ОсобенностиDepletion Mode