Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 5 Вт, Напряжение КЭ максимальное 350 В, Ток коллектора 1 А, Граничная рабочая частота 15 МГц, Коэффициент усиления по току, min 40 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AD
Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.