JANS2N2857UB / Microchip
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 200 мВт, Напряжение КЭ максимальное 15 В, Ток коллектора 40 мА, Коэффициент усиления по току, min 30 , Примечание RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность200 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное15 В
-
Ток коллектора40 мА
-
Коэффициент усиления по току, min30
-
ПримечаниеRF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN