JANTXV2N1613L / Microchip
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 800 мВт, Напряжение КЭ максимальное 30 В, Ток коллектора 500 мА, Коэффициент усиления по току, min 20 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5
Предлагаем замену
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность800 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное30 В
-
Ток коллектора500 мА
-
Коэффициент усиления по току, min20
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5