JANTXV2N5794 / Microchip
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Напряжение КЭ максимальное 40 В, Ток коллектора 600 мА, Граничная рабочая частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 35 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, TO-78
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Напряжение КЭ максимальное40 В
-
Ток коллектора600 мА
-
Граничная рабочая частота250 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min35
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, TO-78