_500.jpeg "MSMCJLCE28Ae3")
MSMCJLCE28Ae3 / Microchip
Не поставляется
Добавить к сравнению
TVS-диод; Vwm 28 В; Vbr 34.4 В; Vc 45.5 В; Ipp 33 А; Iib 5 мкА; Ppp 1.5 Вт; Pm 5 Вт
Характеристики:
- Полярность: однонаправленный;
- Рабочее напряжение обратной полярности VWIB: 75 В;
- Напряжение пробоя Vbr: 34.4 В;
- Напряжение фиксации VC: 45.5 В;
- Пиковая мощность рассеивания PPP: 1.5 кВт;
- Емкость диода: 100 пФ;
- Пиковый ток IPP: 33 A;
- Корпус: DO-214AB;
- Рабочая температура: -65...+150 °C
Корпус —, Рабочее напряжение 28 В, Количество линий ограничения 1 , Напряжение ограничения (диапазон), min 31.1 В, Напряжение ограничения (диапазон), max 34.4 В, Примечание Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 28V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB , Ток утечки при рабочем напряжении 5 мкА, Пиковая рассеиваемая мощность 1.5 кВт, Тип супрессора по свойствам однонаправленный , Напряжение ограничения (номинальное) 32.75 В, Паразитная емкость перехода 100 пФ, Максимальное импульсное напряжение 45.5 В, Рассеиваемая мощность 5 Вт
Предлагаем замену
Характеристики
-
Корпус—
-
Рабочее напряжение28 В
-
Количество линий ограничения1
-
Напряжение ограничения (диапазон), min31.1 В
-
Напряжение ограничения (диапазон), max34.4 В
-
ПримечаниеTrans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 28V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB
-
Ток утечки при рабочем напряжении5 мкА
-
Пиковая рассеиваемая мощность1.5 кВт
-
Тип супрессора по свойствамоднонаправленный
-
Напряжение ограничения (номинальное)32.75 В
-
Паразитная емкость перехода100 пФ
-
Максимальное импульсное напряжение45.5 В
-
Рассеиваемая мощность5 Вт