SMBJ30CAE3/TR13 / Microchip
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Рабочее напряжение 30 В, Количество линий ограничения 1 , Напряжение ограничения (диапазон), min 33.3 В, Напряжение ограничения (диапазон), max 36.8 В, Примечание Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 30V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA , Пиковая рассеиваемая мощность 600 Вт, Тип супрессора по свойствам двунаправленный , Рассеиваемая мощность 1.38 Вт
Характеристики
-
Корпус—
-
Рабочее напряжение30 В
-
Количество линий ограничения1
-
Напряжение ограничения (диапазон), min33.3 В
-
Напряжение ограничения (диапазон), max36.8 В
-
ПримечаниеTrans Voltage Suppressor Diode, 600W, 30V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
-
Пиковая рассеиваемая мощность600 Вт
-
Тип супрессора по свойствамдвунаправленный
-
Рассеиваемая мощность1.38 Вт