MT29F4G16ABBDAHC:D TR / Micron
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус VFBGA63 , Тип памяти FLASH , Подтип памяти FLASH - NAND , Интерфейс Parallel , Объём памяти 4 Гбит, Организация памяти 256M x 16 , Напряжение питания, min 1.7 В, Напряжение питания, max 1.95 В, Рабочая температура 70 °C
Характеристики
-
КорпусVFBGA63
-
Тип памятиFLASH
-
Подтип памятиFLASH - NAND
-
ИнтерфейсParallel
-
Объём памяти4 Гбит
-
Организация памяти256M x 16
-
Напряжение питания, min1.7 В
-
Напряжение питания, max1.95 В
-
Рабочая температура70 °C