MT29F8G08ABBCAH4:C / Micron
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип памяти FLASH , Подтип памяти FLASH - NAND , Интерфейс Parallel , Объём памяти 8 Гбит, Организация памяти 1G x 8 , Напряжение питания, min 1.7 В, Напряжение питания, max 1.95 В, Рабочая температура 70 °C, Время доступа 30 нс
Предлагаем замену
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип памятиFLASH
-
Подтип памятиFLASH - NAND
-
ИнтерфейсParallel
-
Объём памяти8 Гбит
-
Организация памяти1G x 8
-
Напряжение питания, min1.7 В
-
Напряжение питания, max1.95 В
-
Рабочая температура70 °C
-
Время доступа30 нс