2SC1970 / Mitsubishi
Добавить к сравнению
Транзистор биполярный
Корпус TO220AB , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 1 Вт, Напряжение КЭ максимальное 17 В, Ток коллектора 600 мА, Коэффициент усиления по току, min 10 , Примечание RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-220AB
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 1 шт | — |
250,54
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусTO220AB
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность1 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное17 В
-
Ток коллектора600 мА
-
Коэффициент усиления по току, min10
-
ПримечаниеRF Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-220AB