NCE0130GA / NCE POWER SEMICONDUCTOR
NCE POWER SEMICONDUCTOR
хит %
Добавить к сравнению
Корпус DFN8 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C 30 А, Сопротивление открытого канала (мин) 32 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 32 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 28 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min -20 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 20 В, Заряд затвора 67.2 нКл, Рассеиваемая мощность 85 Вт
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 84678 шт | — |
23,80
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусDFN8
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток100 В
-
Ток стока номинальный при 25°C30 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)32 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min32 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max28 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min-20 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max20 В
-
Заряд затвора67.2 нКл
-
Рассеиваемая мощность85 Вт