NCE01P03S / NCE POWER SEMICONDUCTOR
NCE POWER SEMICONDUCTOR
Добавить к сравнению
Корпус SOIC8 , Конфигурация и полярность P , Максимальное напряжение сток-исток -100 В, Ток стока номинальный при 25°C -3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 170 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 170 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 200 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min -20 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 20 В, Заряд затвора 33.1 нКл, Рассеиваемая мощность 2.5 Вт
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 233500 шт | — |
34,90
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусSOIC8
-
Конфигурация и полярностьP
-
Максимальное напряжение сток-исток-100 В
-
Ток стока номинальный при 25°C-3 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)170 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min170 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max200 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min-20 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max20 В
-
Заряд затвора33.1 нКл
-
Рассеиваемая мощность2.5 Вт