NCE30P25Q / NCE POWER SEMICONDUCTOR
NCE POWER SEMICONDUCTOR
Добавить к сравнению
Корпус DFN83X3 , Конфигурация и полярность P , Максимальное напряжение сток-исток -30 В, Ток стока номинальный при 25°C -25 А, Сопротивление открытого канала (мин) 8.9 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 8.9 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 11 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min -20 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 20 В, Заряд затвора 45.6 нКл, Рассеиваемая мощность 35 Вт
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 50000 шт | — |
16,70
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусDFN83X3
-
Конфигурация и полярностьP
-
Максимальное напряжение сток-исток-30 В
-
Ток стока номинальный при 25°C-25 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)8.9 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min8.9 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max11 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min-20 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max20 В
-
Заряд затвора45.6 нКл
-
Рассеиваемая мощность35 Вт