NCE4435 / NCE POWER SEMICONDUCTOR
NCE POWER SEMICONDUCTOR
Добавить к сравнению
Корпус SOIC8 , Конфигурация и полярность P , Максимальное напряжение сток-исток -30 В, Ток стока номинальный при 25°C -9.1 А, Сопротивление открытого канала (мин) 16 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 16 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 20 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min -20 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 20 В, Заряд затвора 30 нКл, Рассеиваемая мощность 3.1 Вт
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 451168 шт | — |
22,43
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусSOIC8
-
Конфигурация и полярностьP
-
Максимальное напряжение сток-исток-30 В
-
Ток стока номинальный при 25°C-9.1 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)16 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min16 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max20 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min-20 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max20 В
-
Заряд затвора30 нКл
-
Рассеиваемая мощность3.1 Вт