NCE6012AS / NCE POWER SEMICONDUCTOR
NCE POWER SEMICONDUCTOR
Добавить к сравнению
Корпус SOIC8 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 12 А, Сопротивление открытого канала (мин) 10 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 10 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 8 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min -20 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 20 В, Заряд затвора 93 нКл, Рассеиваемая мощность 3 Вт
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 165033 шт | — |
37,17
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусSOIC8
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток60 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса12 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)10 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min10 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max8 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min-20 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max20 В
-
Заряд затвора93 нКл
-
Рассеиваемая мощность3 Вт