NCEP02T10D / NCE POWER SEMICONDUCTOR
NCE POWER SEMICONDUCTOR
Добавить к сравнению
Корпус TO263 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 100 А, Сопротивление открытого канала (мин) 10 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 10 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 11 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min -20 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 20 В, Заряд затвора 63.2 нКл, Рассеиваемая мощность 300 Вт, Ёмкость затвора 4 200 пФ
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 4918 шт | — |
141,24
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусTO263
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток200 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса100 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)10 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min10 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max11 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min-20 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max20 В
-
Заряд затвора63.2 нКл
-
Рассеиваемая мощность300 Вт
-
Ёмкость затвора4 200 пФ