PESD5V0R1BSF / NEXPERIA
Не поставляется
Добавить к сравнению
DIODE, ESD PROTECTION, 5V, 0.1PF
Корпус —, Тип супрессора по свойствам двунаправленный , Напряжение ограничения (номинальное) 10 В, Паразитная емкость перехода 0.15 пФ, Максимальное импульсное напряжение 5 В, Рабочее напряжение 5 В, Количество линий ограничения 1 , Напряжение ограничения (диапазон), min 6 В, Примечание Trans Voltage Suppressor Diode, 5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon , Ток утечки при рабочем напряжении 0.05 мкА
Предлагаем замену
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип супрессора по свойствамдвунаправленный
-
Напряжение ограничения (номинальное)10 В
-
Паразитная емкость перехода0.15 пФ
-
Максимальное импульсное напряжение5 В
-
Рабочее напряжение5 В
-
Количество линий ограничения1
-
Напряжение ограничения (диапазон), min6 В
-
ПримечаниеTrans Voltage Suppressor Diode, 5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon
-
Ток утечки при рабочем напряжении0.05 мкА