PUMD10.115 / NEXPERIA
Не поставляется
Добавить к сравнению
транз: (+резисторы) NPN+PNP 50V 0,1A hоэ min 100, 200mW R1-2.2.ком ,R2-47ком
Корпус TSSOP6 , Тип проводимости и конфигурация NPN/PNP , Комплементарная пара PUMH10, PUMB10 , Рассеиваемая мощность 200 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 100 , Коэффициент усиления по току, max 100
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTSSOP6
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN/PNP
-
Комплементарная параPUMH10, PUMB10
-
Рассеиваемая мощность200 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное50 В
-
Ток коллектора100 мА
-
Коэффициент усиления по току, min100
-
Коэффициент усиления по току, max100