Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 150 мВт, Напряжение КЭ максимальное 25 В, Ток коллектора 300 мА, Граничная рабочая частота 5 МГц, Коэффициент усиления по току, min 10 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Germanium, TO-5
Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.