NTE2381 / NTE
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация P-CHANNEL , Рассеиваемая мощность 75 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияP-CHANNEL
-
Рассеиваемая мощность75 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB