NTE2511 / NTE
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 10 Вт, Ток коллектора 500 мА, Коэффициент усиления по току, min 20 , Примечание RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, NPN
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность10 Вт
-
Ток коллектора500 мА
-
Коэффициент усиления по току, min20
-
ПримечаниеRF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, NPN