NTE341 / NTE
Не поставляется
Добавить к сравнению
TRANSISTOR,BJT,NPN,18V V(BR)CEO,640MA I(C),TO-39 ;ROHS COMPLIANT: YES
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 8 Вт, Напряжение КЭ максимальное 18 В, Ток коллектора 640 мА, Коэффициент усиления по току, min 5 , Примечание RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.64A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-39
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность8 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное18 В
-
Ток коллектора640 мА
-
Коэффициент усиления по току, min5
-
ПримечаниеRF Small Signal Bipolar Transistor, 0.64A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-39