NTE458 / NTE
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация N-CHANNEL , Рассеиваемая мощность 250 мВт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-92
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияN-CHANNEL
-
Рассеиваемая мощность250 мВт
-
ПримечаниеSmall Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-92