Москва

+7 (495) 488-65-70

Корзина пуста
Загрузка списка товаров из файла
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты

MRFE6VP61K25HR5 / NXP/FRS

Не поставляется

Добавить к сравнению

РЧ полевые транзисторы LDMOS; 2 N-канальных транзистора; 1250 Вт; 133 В; 1.8...600 МГц

Характеристики:

  • Полярность: N;
  • Технология: Si;
  • Количество транзисторов: 2;
  • Ток утечки: 10 мкА;
  • Напряжение пробоя сток-исток: 133 В;
  • Усиление: 24 дБ;
  • Импульсная выходная мощность: 1250 Вт;
  • Рабочая температура корпуса: +150 °C;
  • Рабочая частота: 1.8...600 МГц;
  • Рассеиваемая мощность: 1333 Вт;
  • Напряжение затвор-исток: 10 В

Описания и документация

m/MRFE6VP61K25H.pdf

  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 26.07.2025 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров
Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 26.07.2025 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины

Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.