Новости Контакты Юридическим лицам Как купить Оплата Доставка Помощь Что с моим заказом?

вход / регистрация

Москва

+7 (495) 488-65-70

Корзина пуста

MRFE6VP8600HSR5

MRFE6VP8600HSR5 0

MRFE6VP8600HSR5 1

MRFE6VP8600HSR5 / NXP/FRS

Не поставляется

Добавить к сравнению

Радиочастотный LDMOS транзистор для двухтактных схем; 2 N-канальных транзистора; 130 В; 600 Вт; 470...860 МГц

Характеристики:

Тип транзистора: RF Power LDMOS N-канал;
Частота: 470...860 МГц;
Выходная импульсная мощность: 600 Вт;
Выходная номинальная мощность: 125 Вт;
Коэффициент усиления: 19.3 дБ;
Максимальное напряжение: 130 В;
Номинальное напряжение: 50 В;
Корпус: NI-1230S

Корпус FLATPACK4

Описания и документация

m/MRFE6VP8600H.pdf

Характеристики

Корпус

FLATPACK4

Москва
Санкт-Петербург
Мурманск
Ульяновск
Новосибирск
Екатеринбург
Краснодар
Нижний Новгород
Воронеж
Уфа
Челябинск
Самара
Красноярск
Казань
Ростов-на-Дону
Саратов
Пермь
Томск
Иркутск
Омск
Тюмень

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 17.07.2025 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 17.07.2025 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины

Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.

☰