2N7002E / NXP Semiconductors
Не поставляется
Добавить к сравнению
Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C 390 мА, Сопротивление открытого канала (мин) 3 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 3 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 4 Ом, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 4.5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Рассеиваемая мощность 830 мВт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 0.385A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
Характеристики
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток60 В
-
Ток стока номинальный при 25°C390 мА
-
Сопротивление открытого канала (мин)3 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min3 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max4 Ом
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min4.5 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Рассеиваемая мощность830 мВт
-
ПримечаниеSmall Signal Field-Effect Transistor, 0.385A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB