Конфигурация и полярность N , Рассеиваемая мощность 690 Вт, Примечание RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Показать полное описаниеСкрыть полное описание
Характеристики
Конфигурация и полярность
N
Рассеиваемая мощность
690 Вт
Примечание
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET