BAS28T/R / NXP Semiconductors
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Схема включения диодов 2, отдельных , Максимальное обратное напряжение диода 85 В, Прямой ток диода (средний) 215 мА, Прямое падение напряжения 1.25 В, Обратный ток диода 1 мкА, Время обратного восстановления диодов 4 нс
Предлагаем замену
Характеристики
-
Корпус—
-
Схема включения диодов2, отдельных
-
Максимальное обратное напряжение диода85 В
-
Прямой ток диода (средний)215 мА
-
Прямое падение напряжения1.25 В
-
Обратный ток диода1 мкА
-
Время обратного восстановления диодов4 нс