BC640 / NXP Semiconductors
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус TO92 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 830 мВт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 500 мВ, Ток коллектора 1 А, Граничная рабочая частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 40 , Коэффициент усиления по току, max 250 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
Характеристики
-
КорпусTO92
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность830 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное80 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии500 мВ
-
Ток коллектора1 А
-
Граничная рабочая частота100 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min40
-
Коэффициент усиления по току, max250
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92