Корпус SOT23 , Тип проводимости и конфигурация N-CHANNEL , Рассеиваемая мощность 250 мВт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 25V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236AB
Показать полное описаниеСкрыть полное описание
Характеристики
Корпус
SOT23
Тип проводимости и конфигурация
N-CHANNEL
Рассеиваемая мощность
250 мВт
Примечание
Small Signal Field-Effect Transistor, 25V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236AB