BFQ149 / NXP Semiconductors
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус TO243 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 1 Вт, Напряжение КЭ максимальное 15 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная рабочая частота 5 ГГц, Коэффициент усиления по току, min 20 , Примечание RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, C Band, Silicon, PNP
Характеристики
-
КорпусTO243
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность1 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное15 В
-
Ток коллектора100 мА
-
Граничная рабочая частота5 ГГц
-
Коэффициент усиления по току, min20
-
ПримечаниеRF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, C Band, Silicon, PNP