BFR93AT.115 / NXP Semiconductors
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус SOT416 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 300 мВт, Напряжение КЭ максимальное 12 В, Ток коллектора 35 мА, Граничная рабочая частота 6 ГГц
Характеристики
-
КорпусSOT416
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность300 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное12 В
-
Ток коллектора35 мА
-
Граничная рабочая частота6 ГГц