BZV55-C33/T1 / NXP Semiconductors
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус SOD80 , Напряжение стабилизации 33 В, Ток стабилизации (макс) 10 мА, Импеданс (макс) 80 Ом, Рабочая температура -65 °C, Рабочая температура 200 °C
Характеристики
-
КорпусSOD80
-
Напряжение стабилизации33 В
-
Ток стабилизации (макс)10 мА
-
Импеданс (макс)80 Ом
-
Рабочая температура-65 °C
-
Рабочая температура200 °C