MRF1518NT1 / NXP Semiconductors
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 40 В, Ток стока номинальный при 25°C 4 А, Рассеиваемая мощность 62.5 Вт, Примечание RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Характеристики
-
Корпус—
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток40 В
-
Ток стока номинальный при 25°C4 А
-
Рассеиваемая мощность62.5 Вт
-
ПримечаниеRF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET