PBRP123YT / NXP Semiconductors
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус SOT23 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 800 мА, Коэффициент усиления по току, min 70 , Встроенное сопротивление в базовой цепи 2.2 кОм, Встроенное сопротивление в цепи БЭ 10 кОм
Характеристики
-
КорпусSOT23
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Напряжение КЭ максимальное50 В
-
Ток коллектора800 мА
-
Коэффициент усиления по току, min70
-
Встроенное сопротивление в базовой цепи2.2 кОм
-
Встроенное сопротивление в цепи БЭ10 кОм