PBSS4160U / NXP Semiconductors
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Напряжение КЭ максимальное 60 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 320 мВ, Ток коллектора 1 А, Граничная рабочая частота 150 МГц, Коэффициент усиления по току, min 100
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Напряжение КЭ максимальное60 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии320 мВ
-
Ток коллектора1 А
-
Граничная рабочая частота150 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min100